最近,课题组合作论文《 Role of Oxygen Vacancies at the TiO2/HfO2 Interface in Flexible Oxide Based Resistive Switching Memory》被 Advanced Electronic Materials杂志正式接收。论文被Materials Views中国 栏目收录宣传【Advanced Electronic Materials:柔性HfO2/TiO2双层阻变存储器件中氧空位行为研究】。湖北大学物理与电子科学学院叶葱教授和中国科学院宁波材料技术与工程研究所竺立强研究员为该论文的共同通讯作者。
论文链接 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.201800833